接近式光刻機在單室設(shè)計上可以滿足研發(fā)工作，與EVG的自動化系統(tǒng)*兼容。EVG101支持大300 mm的晶圓，可配置為旋涂或噴涂和顯影。使用EVG先進(jìn)的OmniSpray涂層技術(shù)，在3D結(jié)構(gòu)晶圓上實現(xiàn)光刻膠或聚合物的共形層，用于互連技術(shù)。這確保了高粘度光致光刻膠或聚合物的低材料消耗，同時改善了均勻性并防止了擴散。

 

　　它的分類：

　　接近式光刻機一般根據(jù)操作的簡便性分為三種，手動、半自動、全自動

　　1、手動：指的是對準(zhǔn)的調(diào)節(jié)方式，是通過手調(diào)旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準(zhǔn)，對準(zhǔn)精度可想而知不高了；

　　2、半自動：指的是對準(zhǔn)可以通過電動軸根據(jù)CCD的進(jìn)行定位調(diào)諧；

　　3、自動： 指的是從基板的上載下載，曝光時長和循環(huán)都是通過程序控制，自動光刻機主要是滿足工廠對于處理量的需要。

 

　　接近式光刻機的結(jié)構(gòu)及作用：

　　1、測量臺、曝光臺：承載硅片的工作臺，也就是本次所說的雙工作臺。

　　2、光束矯正器：矯正光束入射方向，讓激光束盡量平行。

　　3、能量控制器：控制最終照射到硅片上的能量，曝光不足或過足都會嚴(yán)重影響成像質(zhì)量。

　　4、光束形狀設(shè)置：設(shè)置光束為圓型、環(huán)型等不同形狀，不同的光束狀態(tài)有不同的光學(xué)特性。

　　5、遮光器：在不需要曝光的時候，阻止光束照射到硅片。

　　6、能量探測器：檢測光束最終入射能量是否符合曝光要求，并反饋給能量控制器進(jìn)行調(diào)整。

　　7、掩模版：一塊在內(nèi)部刻著線路設(shè)計圖的玻璃板，貴的要數(shù)十萬美元。

　　8、掩膜臺：承載掩模版運動的設(shè)備，運動控制精度是nm級的。

　　9、物鏡：物鏡由20多塊鏡片組成，主要作用是把掩膜版上的電路圖按比例縮小，再被激光映射的硅片上，并且物鏡還要補償各種光學(xué)誤差。技術(shù)難度就在于物鏡的設(shè)計難度大，精度的要求高。

　　10、硅片：用硅晶制成的圓片。硅片有多種尺寸，尺寸越大，產(chǎn)率越高。題外話，由于硅片是圓的，所以需要在硅片上剪一個缺口來確認(rèn)硅片的坐標(biāo)系，根據(jù)缺口的形狀不同分為兩種，分別叫flat、notch。

　　11、內(nèi)部封閉框架、減振器：將工作臺與外部環(huán)境隔離，保持水平，減少外界振動干擾，并維持穩(wěn)定的溫度、壓力。